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發(fā)布時(shí)間：2024-01-12 16:03:24
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硅襯底用拋光液系列（SIPOL系列）
? 顆粒粒徑分布適中，去除速率可達(dá)0.8-1um/min
? 產(chǎn)品循環(huán)壽命長(zhǎng)，去除速率穩(wěn)定
? 拋光過程中不易產(chǎn)生結(jié)晶，
? 金屬離子含量低，滿足不同硅片使用要求
產(chǎn)品描述
SIPOL-141
顆粒粒徑為40nm，分布適中，去除速率高，產(chǎn)品循環(huán)壽命長(zhǎng)，拋光后表面粗糙度低，金屬離子含量低，適用于集成電路硅晶片的粗拋。
SIPOL-144
顆粒粒徑為30nm，分布適中，去除速率高，配方精益打造，拋光后表面粗糙度低，磨料采用有機(jī)硅脂法制備，金屬離子含量低，適用于集成電路硅晶片的中拋。
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